Bloque de E/S IC660EBA021 GE Fanuc

Ensamblaje Electrónico del Bloque de Entrada RTD GE Fanuc IC660EBA021 Genius I/O

Especificaciones Técnicas Principales

• Marca: GE Fanuc
• Modelo: IC660EBA021
• Serie: Genius I/O
• Voltaje de Operación: 18 a 56 Voltios DC
• Potencia Nominal: 7.0 Vatios máximo
• Entradas Analógicas: Seis canales dedicados para entrada RTD
• Resolución de Entrada: 0.1 Grados Celsius
• Precisión de Entrada: ±1.0°C (RTDs de Platino/Níquel)
• Aislamiento de Grupo: 300 Voltios entre grupos de canales
• Tiempo de Actualización de Entrada: Seleccionable (400, 800, 1600 ms)

Preguntas Frecuentes (FAQ)

• P: ¿El módulo IC660EBA021 es nuevo y original?
  R: Sí, suministramos solo productos GE Fanuc 100% nuevos y originales.
• P: ¿Qué tipos de sensores RTD soporta?
  R: Es compatible con RTDs de Platino, Níquel y Cobre.
• P: ¿Cuál es la resolución de medición?
  R: Proporciona alta precisión con resolución de 0.1°C.
• P: ¿Tienen este artículo listo para envío?
  R: Sí, mantenemos stock para cumplimiento inmediato de pedidos.
• P: ¿Cuál es la tasa de actualización de entrada?
  R: Puede seleccionar el tiempo de actualización en 400, 800 o 1600 milisegundos.

Para más detalles técnicos sobre el sistema Genius I/O o el módulo RTD IC660EBA021, por favor contacte a nuestro equipo.
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