Khối I/O GE Fanuc IC660EBA021

Cụm điện tử khối đầu vào RTD Genius I/O GE Fanuc IC660EBA021

Thông số kỹ thuật chính

• Thương hiệu: GE Fanuc
• Mẫu: IC660EBA021
• Dòng sản phẩm: Genius I/O
• Điện áp hoạt động: 18 đến 56 Vôn DC
• Công suất: tối đa 7,0 W
• Đầu vào analog: Sáu kênh đầu vào RTD chuyên dụng
• Độ phân giải đầu vào: 0,1 độ C
• Độ chính xác đầu vào: ±1,0°C (RTD bạch kim/nickel)
• Cách ly nhóm: 300 V giữa các nhóm kênh
• Thời gian cập nhật đầu vào: Có thể lựa chọn (400, 800, 1600 ms)

Câu hỏi thường gặp (FAQ)

• Hỏi: Mô-đun IC660EBA021 có mới và chính hãng không?
  Đáp: Có, chúng tôi chỉ cung cấp sản phẩm GE Fanuc mới 100% và chính hãng.
• Hỏi: Mô-đun hỗ trợ những loại cảm biến RTD nào?
  Đáp: Mô-đun tương thích với RTD bạch kim, nickel và đồng.
• Hỏi: Độ phân giải đo là bao nhiêu?
  Đáp: Mô-đun cung cấp độ chính xác cao với độ phân giải 0,1°C.
• Hỏi: Sản phẩm này có sẵn để giao ngay không?
  Đáp: Có, chúng tôi duy trì hàng tồn kho để đáp ứng đơn hàng ngay lập tức.
• Hỏi: Tốc độ cập nhật đầu vào là bao nhiêu?
  Đáp: Bạn có thể chọn thời gian cập nhật là 400, 800 hoặc 1600 mili giây.

Để biết thêm thông tin kỹ thuật về hệ thống Genius I/O hoặc mô-đun RTD IC660EBA021, vui lòng liên hệ với đội ngũ của chúng tôi.
Thông tin liên hệ: sales@nex-auto.com , +86 153 9242 9628