IC660EBA021 blok wejść/wyjść GE Fanuc

Moduł elektroniki wejść RTD GE Fanuc IC660EBA021 Genius I/O

Podstawowe specyfikacje techniczne

• Marka: GE Fanuc
• Model: IC660EBA021
• Seria: Genius I/O
• Napięcie robocze: od 18 do 56 V DC
• Moc znamionowa: maksymalnie 7,0 W
• Wejścia analogowe: sześć dedykowanych kanałów wejściowych RTD
• Rozdzielczość wejściowa: 0,1 stopnia Celsjusza
• Dokładność wejściowa: ±1,0°C (platynowe/niklowe czujniki RTD)
• Izolacja grupowa: 300 V między grupami kanałów
• Czas aktualizacji wejść: wybierany (400, 800, 1600 ms)

Często zadawane pytania (FAQ)

• P: Czy moduł IC660EBA021 jest nowy i oryginalny?
  O: Tak, dostarczamy wyłącznie 100% nowych i oryginalnych produktów GE Fanuc.
• P: Jakie typy czujników RTD obsługuje?
  O: Jest kompatybilny z czujnikami RTD platynowymi, niklowymi i miedzianymi.
• P: Jaka jest rozdzielczość pomiaru?
  O: Zapewnia wysoką precyzję dzięki rozdzielczości 0,1°C.
• P: Czy ten produkt jest gotowy do wysyłki?
  O: Tak, utrzymujemy zapasy umożliwiające natychmiastową realizację zamówień.
• P: Jaka jest częstotliwość aktualizacji wejść?
  O: Czas aktualizacji można ustawić na 400, 800 lub 1600 milisekund.

Aby uzyskać dalsze informacje techniczne dotyczące systemu Genius I/O lub modułu RTD IC660EBA021, prosimy o kontakt z naszym zespołem.
Zapytania dotyczące danych kontaktowych: sales@nex-auto.com , +86 153 9242 9628