Blocco I/O GE Fanuc IC660EBA021

Assemblaggio elettronico del blocco di ingresso RTD GE Fanuc IC660EBA021 Genius I/O

Specifiche tecniche principali

• Marca: GE Fanuc
• Modello: IC660EBA021
• Serie: Genius I/O
• Tensione di esercizio: da 18 a 56 Volt CC
• Potenza nominale: massimo 7,0 Watt
• Ingressi analogici: sei canali di ingresso RTD dedicati
• Risoluzione di ingresso: 0,1 gradi Celsius
• Precisione di ingresso: ±1,0 °C (RTD al platino/al nichel)
• Isolamento dei gruppi: 300 Volt tra i gruppi di canali
• Tempo di aggiornamento degli ingressi: selezionabile (400, 800, 1600 ms)

Domande frequenti (FAQ)

• D: Il modulo IC660EBA021 è nuovo e originale?
  R: Sì, forniamo esclusivamente prodotti GE Fanuc nuovi e originali al 100%.
• D: Quali tipi di sensori RTD supporta?
  R: È compatibile con RTD al platino, al nichel e al rame.
• D: Qual è la risoluzione di misurazione?
  R: Offre un'elevata precisione con una risoluzione di 0,1 °C.
• D: Avete questo articolo pronto per la spedizione?
  R: Sì, disponiamo di scorte per evadere immediatamente gli ordini.
• D: Qual è la frequenza di aggiornamento degli ingressi?
  R: È possibile selezionare il tempo di aggiornamento tra 400, 800 o 1600 millisecondi.

Per ulteriori dettagli tecnici sul sistema Genius I/O o sul modulo RTD IC660EBA021, contattate il nostro team.
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